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硅碳棒在使用中阻值变化

  2016/10/15 11:57:49
 
    硅碳棒在使用中表面氧化生成二氧化硅薄膜,长时间使用使二氧化硅皮膜增加,硅碳棒阻值也随之增加。二氧化硅薄膜在结晶临界点(270℃)附近发生异常膨胀、收缩。因在间歇式窑炉中间断使用总在此温度上下浮动,所以反复破二氧化硅薄膜,加速氧化。如果硅碳棒阻值不同,串联时电阻高的硅碳棒负荷较集中,易导致某一根硅碳棒的电阻快速增加,寿命变短。硅碳棒一般是串、并联接线结合使用。
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